LN4292T1G 时间：2025/8/13 7:34:18 阅读：30

LN4292T1G 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于各种电源管理和功率转换电路。LN4292T1G采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，使其在高负载条件下依然能够保持稳定工作。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：5.6A
　　最大耗散功率(PD)：1.6W
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：75mΩ @ VGS=4.5V
　　输入电容(Ciss)：290pF @ VDS=15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

LN4292T1G具有多项关键特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为55mΩ，而在VGS=4.5V时也保持在75mΩ的低水平，这意味着即使在较低的栅极驱动电压下，器件仍能保持较好的导通性能。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，使电流密度更高、开关速度更快，同时保持较低的开关损耗。这对于高频开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和负载开关等应用至关重要。
　　此外，LN4292T1G具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，在连续工作条件下可承受较高的电流负载。其最大连续漏极电流为5.6A，最大漏源电压为30V，适用于中等功率级别的应用。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，提高了在高能量应力条件下的可靠性。这使其在电机驱动、电源管理以及电池供电设备中具有更高的耐用性和稳定性。
　　最后，LN4292T1G采用TO-236（SOT-23）小型封装，便于在紧凑型PCB设计中使用，同时具备良好的散热性能，适用于SMT（表面贴装技术）工艺。

应用

LN4292T1G适用于多种电源管理和功率转换场景。典型应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及各类便携式电子设备的功率控制模块。由于其低导通电阻和优异的开关性能，LN4292T1G在节能型电源设计中表现尤为突出，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域。