时间：2025/5/21 12:49:56
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PL5N50是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，能够在高频开关应用中提供高效性能。
PL5N50采用了TO-220封装形式，这种封装方式不仅便于散热，还适合多种电路板布局设计需求。
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：1.4Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：75W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
PL5N50的主要特性包括：
1. 高击穿电压（500V），适用于高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（1.4Ω@Vgs=10V），减少功率损耗。
3. 快速开关能力，支持高频操作。
4. 内置反向恢复二极管，优化续流性能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
6. 具备良好的热稳定性和可靠性，适应工业级应用场景。
PL5N50适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. LED照明系统中的调光及恒流控制。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L
