时间：2025/12/29 12:04:10
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CDDFN10-3324 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装功率 MOSFET，采用 DFN（Dual Flat No-leads）封装技术，具有体积小、热阻低、电流承载能力强等优点。该器件适用于需要高效能和高可靠性的应用场合，如电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等。CDDFN10-3324 采用 N 沟道结构，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频率和高电流条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：12A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：18nC
封装形式：DFN10（5x6mm）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
最大功耗：3.5W
CDDFN10-3324 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在低电压应用中能够实现更低的导通损耗，提高系统效率。其 DFN 封装形式不仅减小了 PCB 占用面积，而且通过封装底部的散热焊盘有效提升了散热性能，适用于高密度电源设计。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机驱动应用。CDDFN10-3324 还具备较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常工况下的可靠性。
CDDFN10-3324 常用于各种高性能电源管理系统中，如笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热性能和紧凑的封装，也广泛应用于对空间和效率要求较高的便携式电子产品中。
SiSS132DN-T1-GE3, FDMC8824, CSD17325QPA
