时间：2025/6/20 23:50:10
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PL30P03DN3 是一款 N 沣道通的 30V N-Channel MOSFET。这款芯片具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于各种高效能功率转换应用。其设计优化了在高频下的表现，并且能够在大电流下保持较低的功耗。
该器件采用了先进的制造工艺，能够提供稳定的电气性能以及可靠的运行环境适应能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：32A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：1670pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
PL30P03DN3 具有非常低的导通电阻，这使其成为需要高效率和低损耗应用的理想选择。其支持高达 32 安培的连续漏极电流，并且拥有优秀的热稳定性，在高温环境下仍可保持良好性能。
此外，此器件具备快速开关速度的特点，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。它还具有良好的 ESD 防护能力，增强了产品可靠性。
该元件采用小型封装设计，适合紧凑型电路布局，同时其高电流承载能力也使得它非常适合用于电机驱动、DC/DC 转换器以及其他要求苛刻的电力电子设备中。
PL30P03DN3 广泛应用于汽车电子领域中的负载切换、DC/DC 转换器、逆变器以及电机控制等场景。
在工业自动化方面，它可以作为开关使用于不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器以及其他高性能功率管理系统。
消费类电子产品中，比如笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器等也常会用到此类 MOSFET 来实现高效的电源管理方案。
PL30P03DNL3, IPB030N03L, AO3400
