时间：2025/7/16 15:40:01
阅读：8
SF1186G是一种高性能、低功耗的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的导通电阻和快速开关性能，能够有效降低系统能耗并提升效率。
型号：SF1186G
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：30V
栅源极击穿电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
总栅极电荷(Qg)：40nC
输入电容(Ciss)：1750pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
SF1186G具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 支持大电流操作，最大连续漏极电流高达15A。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品设计中。
SF1186G适用于多种领域和应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS2. 电机驱动电路中的功率控制单元。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器中的同步整流器。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
其优异的性能使得SF1186G成为众多高效率、高可靠性设计的理想选择。
IRFZ44N
FDP5800
STP16NM60E
