时间：2025/8/14 21:58:54
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PJZ9NA90是一款由PanJit（强茂）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于多种电子设备的设计和制造。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：900V
连续漏极电流（Id）：9A
导通电阻（Rds(on)）：<1.5Ω
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
PJZ9NA90 MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备出色的导通和开关性能。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，该器件具有较高的击穿电压能力，能够在高电压环境下稳定工作。
此外，PJZ9NA90的热阻较低，可以有效散发热量，确保在高负载条件下的可靠性。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提升整体性能。
该器件的TO-220封装形式便于安装和散热管理，适合广泛应用于各种电源设计中。
PJZ9NA90通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统、家电控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。其高耐压和良好的导通特性使其在高电压和中等功率应用中表现出色。
IPP90R1K5P7S
