类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　功率耗散（Pd）：60W
　　栅极电荷（Qg）：11nC
　　输入电容（Ciss）：390pF

低导通电阻：PJW5N10_AU_R2_00001 的 Rds(on) 仅为 1.2Ω，在 Vgs=10V 时，可以有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。这使得它非常适合用于高频率开关应用。
　　高可靠性：该器件采用高质量的硅片和先进的封装技术，确保在各种工作条件下都具有良好的稳定性和较长的使用寿命。此外，它还具有较强的抗过载能力，能够在短时间承受较高的电流和温度。
　　散热性能良好：TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，适合需要较高功率耗散的应用。该封装还支持表面贴装工艺，简化了 PCB 布局并提高了生产效率。
　　快速开关特性：由于其较低的栅极电荷（Qg=11nC）和输入电容（Ciss=390pF），该 MOSFET 可以实现快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　宽工作温度范围：该器件可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。

电源管理：PJW5N10_AU_R2_00001 可用于各类电源管理电路中，作为高效的开关元件，帮助实现节能和稳定输出。
　　开关电源（SMPS）：该 MOSFET 非常适合用于开关电源设计，尤其是在需要较高效率和较小体积的应用中，例如笔记本电脑适配器、LED 驱动电源等。
　　DC-DC 转换器：在 DC-DC 转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供高效的电压转换解决方案。
　　电池管理系统：该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　电机控制：在小型电机驱动电路中，PJW5N10_AU_R2_00001 可以作为功率开关，控制电机的启停和方向。

SiHF5N10-T1-E3, FDPF5N10, FDS5N10, IRFR5N10A