时间：2025/9/14 10:04:17
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FST20100是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件设计用于高功率、高效率的电源应用，例如电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。FST20100采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够在低导通电阻（Rds(on)）的同时实现高耐压和大电流能力，从而提高整体系统效率并减少功率损耗。该器件采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热和集成到各种电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：7.5A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：≤75mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：150W（TO-220封装）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220、DPAK等
FST20100具有多项优异的电气和热性能特性，使其适用于各种高功率和高效率的应用场景。首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。此外，该器件具有较高的耐压能力，可在100V的漏源电压下稳定工作，适用于多种中高功率应用。FST20100采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电流传导路径，提升了电流处理能力和开关速度。其高功率耗散能力（150W）和优异的热稳定性，使其在高温环境下仍能保持良好的性能。该器件的栅极驱动电压范围较宽（最高可达10V），使其能够兼容多种控制电路和驱动IC。此外，FST20100具有良好的抗雪崩击穿能力，可在高应力条件下提供可靠的保护。其封装形式（如TO-220）具有良好的散热性能，适用于需要高效散热的电路设计。最后，FST20100的高可靠性使其成为工业控制、电源管理、汽车电子等领域的理想选择。
FST20100广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如，它常用于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器和同步整流器中，以提高转换效率并减少功率损耗。此外，该器件也适用于电机控制、电池管理系统和负载开关电路，能够提供高效的电流控制和可靠的电路保护。由于其高耐压和大电流能力，FST20100还可用于工业自动化设备、LED照明驱动器和不间断电源（UPS）系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动工具和动力系统中的功率开关应用。
FQP7N60、IRFZ44N、STP75NF75、SiHF60N30D
