时间：2025/8/14 23:55:11
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PJW5N10A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及负载开关等应用。这款器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，能够在高频率下工作，从而减少外围元件的尺寸和成本。PJW5N10A的额定电压为100V，最大连续漏极电流为5A，在适当的散热条件下可提供良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：5A
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.85Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD)：25W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PJW5N10A MOSFET采用了先进的沟槽技术，具备出色的导通性能和开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有利于在高频开关应用中降低驱动损耗。此外，PJW5N10A具有良好的热稳定性，在高功率应用中能够有效散热。
器件的封装形式为TO-252（也称为DPAK），这种表面贴装封装具有较好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。该MOSFET的栅极耐压能力为±20V，提供了较高的驱动灵活性，同时具备良好的抗静电能力（ESD）保护。
在可靠性方面，PJW5N10A通过了严格的工业标准测试，包括雪崩能量测试和短路耐受测试，确保其在各种严苛环境下的稳定运行。
PJW5N10A适用于多种功率电子应用，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、负载开关控制以及工业自动化设备中的功率开关。其高效率和良好的热管理能力使其成为高效能电源转换系统中的理想选择。
IRF540N, FDP5N50, FQP5N10L, 2N6782
