类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　最大漏源电压（VDS）：1350V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

KGF25N135KRH-U/P 的主要特性之一是其高耐压能力，VDS达到1350V，使其非常适合用于高压电源系统中。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较强的电流承载能力，连续漏极电流可达25A，适用于高功率输出设计。
　　该器件采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和抗热阻能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。TO-247封装形式有助于快速散热，提升器件的可靠性和使用寿命。此外，该MOSFET还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小电源体积并提高系统响应速度。
　　在安全性和耐用性方面，KGF25N135KRH-U/P 具有良好的短路耐受能力和抗雪崩击穿特性，能够在异常工作条件下提供更高的鲁棒性。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了在不同应用场景中的适应性。

KGF25N135KRH-U/P 主要应用于高电压、高功率的电力电子系统中。例如，在工业电源、逆变器、UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可用于高效的功率转换和能量管理。此外，该器件也适用于电动工具、电焊机、变频器等需要高电流和高压耐受能力的设备。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET可用于DC-AC转换和功率调节模块，提升能源转换效率。同时，其优异的开关特性和热稳定性也使其成为开关电源（SMPS）设计中的理想选择，尤其是在需要高可靠性和高效率的场合。
　　由于其良好的抗干扰能力和稳定的性能，该器件也广泛用于家电控制电路、电机驱动系统以及LED照明电源等高要求的电子系统中。

SGW25N135UFD, IRGP50B60PD1STRL, FGH40N150SMD