类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大漏极电流 (Id)：5A
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 1.2Ω
　　栅极电压 (Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散：80W
　　输入电容 (Ciss)：520pF
　　反向恢复时间 (trr)：250ns

PJW5N10-AU 具备低导通电阻特性，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提升整体系统的能效。其采用的 TO-252（DPAK）封装形式不仅便于安装，还具备良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
　　该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。此外，PJW5N10-AU 的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，简化了外围电路的复杂度。
　　在动态性能方面，PJW5N10-AU 具备较快的开关速度和较低的开关损耗，使其适用于高频开关应用。其反向恢复时间较短，减少了在同步整流等应用中的损耗。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供额外的保护。

PJW5N10-AU 主要应用于各种电源管理系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电池充电器、LED 驱动器以及电机控制电路。由于其具备较高的功率处理能力和良好的热稳定性，该器件也常用于工业控制系统、自动化设备和消费类电子产品中。
　　在具体应用中，PJW5N10-AU 可用于半桥或全桥拓扑结构中的低边开关，或作为同步整流管用于提高转换效率。在电机驱动应用中，它可以作为功率开关用于控制电机的启停和调速。此外，该器件还适用于需要高可靠性和高效能的嵌入式系统电源设计。

IRF540N, FQP5N10L, STP5NK10Z, FDP5N10L