时间：2025/8/14 20:31:06
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PJW4P06A是一款由PanJit（强茂）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种高频率和高效率的功率转换应用。该MOSFET封装在常见的TO-252（DPAK）封装中，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A（在Tc=25℃）
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，典型值可能更低）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-252（DPAK）
PJW4P06A MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供了非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。该器件能够在高电流和高频率条件下稳定工作，适用于电源转换、电机控制和负载开关等应用。其高栅极电压容限（±20V）确保了在复杂驱动条件下也能安全运行，而宽泛的工作温度范围使其能够在极端环境条件下正常工作。
此外，该MOSFET具有良好的热管理特性，TO-252封装能够有效散热，避免因过热而导致的性能下降或器件损坏。其耐用性强，适用于高要求的工业和汽车电子系统。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池管理系统、功率开关和负载控制等高功率电子系统中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源管理方案的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, FDP6670, IPP110N10N3 G, IPW60R045C6
