时间：2025/8/14 5:18:21
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PJW3P06A-AU_R2_000A1 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于各种高效率电源转换应用。该器件采用小型DFN10封装（3.3mm x 3.3mm），具备低导通电阻和高功率密度，适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中的电源管理部分。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：5.7A
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
封装形式：DFN10（3.3x3.3mm）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PJW3P06A-AU_R2_000A1 具备低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。其DFN10封装形式具备优良的热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。
此外，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。其高耐压能力（60V）使其适用于多种中低压电源应用，包括同步整流和电机驱动电路。
该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级温度范围的应用场景。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统中。由于其高效率和小尺寸特性，特别适用于便携式电子设备、电动工具、无人机、工业自动化设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。
RQ3L060P03T, R6004END, SiSS62DN
