时间：2025/8/6 3:08:39
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IXTA270N04T4是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和低导通电阻（RDS(on)）应用而设计。该器件具有出色的热性能和高可靠性，适用于各种工业和电源管理应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：270A（在25°C）
最大耗散功率（PD）：320W
导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.2mΩ（典型值为2.7mΩ，取决于栅极电压）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（表面贴装封装，也称为D2-PAK）
IXTA270N04T4 MOSFET具有多个关键特性，使其成为高性能电源应用的理想选择。首先，其极低的RDS(on)值显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高电流处理能力，能够在极端工作条件下提供稳定的性能。采用先进的沟槽式MOSFET技术，IXTA270N04T4实现了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，同时保持良好的热管理能力。TO-263封装设计提供了优良的散热性能，并且支持表面贴装工艺，简化了PCB布局和装配流程。此外，该器件具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，增强了整体系统的可靠性和耐用性。由于其宽泛的工作温度范围，IXTA270N04T4适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业电机控制、太阳能逆变器和大功率电源模块。
IXTA270N04T4广泛应用于需要高效率、高电流和低导通电阻的电源管理系统。典型的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电系统、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及汽车电子系统（如电动助力转向系统EPS、车载充电器OBC）。由于其卓越的热性能和紧凑的封装设计，该MOSFET也非常适合空间受限但需要高功率密度的设计场景。
SiZ270DT, IXTH270N04T4, FDP270N04T4, STP270N4F3AG
