时间：2025/8/14 14:02:39
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PJW1NA60A是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)），同时具备较高的耐压和耐流能力。PJW1NA60A通常封装在TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装中，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（Vds）：60V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
PJW1NA60A具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流容量和良好的热性能使其适用于高功率密度设计。
该器件采用了先进的沟槽MOSFET技术，提供了卓越的开关性能和稳定性。
此外，PJW1NA60A具备良好的抗雪崩能力，能够在高能量开关条件下可靠工作。
该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg），有利于提高开关速度并降低驱动损耗。
其封装设计优化了散热性能，适合在高温环境下运行。
该器件常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和马达控制电路。
在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，PJW1NA60A可用于电池管理系统和车载充电器。
工业自动化设备、UPS系统和服务器电源也广泛采用该器件，以实现高效能和高可靠性。
由于其出色的热性能和耐压能力，PJW1NA60A也可用于高频率开关应用和功率因数校正（PFC）电路。
SiR142DP, IPP120N06S4-03, FDS4410A
