G04N60 时间：2025/4/27 9:15:15 阅读：4

G04N60是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高电压开关场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制应用。
　　它属于N沟道增强型MOSFET，能够在高频条件下高效工作，并且具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

型号：G04N60
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压Vds：600V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：4A
　　导通电阻Rds(on)：1.2Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　功耗Pd：180W
　　结温范围Tj：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

G04N60的显著特点包括高耐压能力（高达600V），能够承受较高的漏源电压，适合在高压环境中使用。
　　其低导通电阻（典型值为1.2Ω）有助于减少功率损耗，从而提高系统效率。
　　同时，它支持快速开关操作，动态性能优越，能够适应高频开关应用场景。
　　G04N60还具有出色的热稳定性，可以在较宽的温度范围内可靠运行，适用于恶劣的工作环境。
　　此外，其紧凑的TO-220封装形式方便安装和散热设计，适合多种工业应用需求。

应用

G04N60广泛用于需要高压开关的场合，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及各种工业自动化设备。
　　由于其高击穿电压和低导通电阻，非常适合用作功率级开关元件，可显著提升系统的整体效率和可靠性。
　　此外，它还可以用于负载切换、电池保护和过流保护等电路中。