类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：8A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.95Ω（最大值1.2Ω）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W

PJU8NA50具有多项优良特性，使其适用于多种功率电子设备。其主要特性包括高耐压能力和良好的导通性能。该MOSFET的漏源电压（VDS）可达500V，适合用于高电压应用，同时具备8A的连续漏极电流能力，可以支持较大功率负载的开关控制。此外，导通电阻RDS(on)的典型值仅为0.95Ω，确保在导通状态下功耗较低，提高了系统效率。
　　器件的栅源电压范围为±30V，使其具备较强的抗过压能力，减少了因电压尖峰导致损坏的风险。同时，PJU8NA50的工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，适应各种恶劣环境下的应用需求。在热性能方面，TO-220封装具备良好的散热能力，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，从而降低开关损耗。这种特性使其特别适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。此外，PJU8NA50的封装形式易于安装在散热片上，以进一步提升散热性能。

PJU8NA50因其优良的电气和热性能，被广泛应用于多个领域的功率控制电路。其中，主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。在电源管理系统中，该器件可用于主开关元件，负责高效地转换和调节电能。由于其低导通电阻和高耐压特性，PJU8NA50也常用于工业自动化设备中的负载开关控制，例如控制继电器、电磁阀和电动机的启停。
　　在照明系统中，尤其是LED驱动电源中，PJU8NA50可作为高频开关元件，帮助实现高效的恒流控制。此外，在家用电器如洗衣机、空调和电风扇中，该MOSFET可用于电机控制和电源管理模块，以提升能效和系统稳定性。另外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），用于控制充放电路径，防止过流和短路情况下的损坏。
　　由于其TO-220封装便于散热，PJU8NA50还可用于需要长时间高负载运行的设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等。无论是在高频开关还是低频控制的应用场景中，PJU8NA50都能提供可靠的性能和较长的使用寿命。

2SK2647, 2SK2141, IRF840, 2SK1318