时间：2025/8/15 16:21:03
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PJU4NA65H 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他高功率电子系统中。该MOSFET采用了先进的工艺技术，具备高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于高效能、高可靠性的电源管理场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：1.35Ω（最大值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：40W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
晶体管配置：单MOSFET
PJU4NA65H 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源击穿电压达到650V，使其适用于高压电源转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）为1.35Ω，在Vgs=10V条件下可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高工作温度下保持稳定性能，增强了系统在恶劣环境下的可靠性。
该MOSFET采用TO-220封装，散热性能良好，适合中等功率应用。其封装设计也有利于PCB布局和安装，便于维护和更换。PJU4NA65H还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，能够有效减少开关损耗并提高响应速度。
在可靠性方面，PJU4NA65H具有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和过电流的冲击，避免因异常工况导致的器件损坏。这使得它在工业控制、家用电器、照明系统和电动工具等应用中表现出色。
PJU4NA65H 常用于各类电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器以及功率因数校正（PFC）电路。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于LED照明驱动、电机控制和电池管理系统等高效率应用。此外，该MOSFET在家电产品（如变频空调、电磁炉等）中也常被用于功率开关控制。
TK11A65W,VN650H
