类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TO-247
　　技术：沟槽式MOSFET

PJSOT24CWT/R具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，从而提高了系统效率。其次，该器件采用沟槽式结构，优化了电场分布，提高了击穿电压的稳定性。此外，PJSOT24CWT/R具有高电流承载能力和良好的热管理能力，适用于高温环境下运行。其封装形式为TO-247，便于安装和散热，适用于多种工业标准电路板布局。
　　在动态性能方面，PJSOT24CWT/R具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体功率转换效率。其栅极电荷（Qg）较低，适合高频操作，同时具备较强的抗雪崩能力，提高了器件的可靠性和耐用性。此外，该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss），有助于减少驱动电路的负担，提高系统的响应速度。
　　综合来看，PJSOT24CWT/R是一款适用于高功率、高频率和高效率应用的高性能MOSFET，能够在多种严苛环境下稳定运行。

PJSOT24CWT/R广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理系统、电池充电器以及服务器和通信设备的电源模块。此外，该器件也适用于UPS（不间断电源）、工业自动化设备和新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）等对功率密度和效率要求较高的场合。

SiHF40N30EF, IXFN80N30P, FDPF80N30