时间：2025/5/20 18:29:16
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NDF10N60ZG是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少发热。NDF10N60ZG的最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达10A（25°C时），非常适合高电压和大电流的应用环境。
此外，该器件还具有优异的雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。其紧凑的封装形式使得它在空间受限的设计中也非常适用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.8Ω（典型值）
栅极电荷：45nC（最大值）
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
NDF10N60ZG的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适用于各种高压应用。
2. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并优化动态响应。
4. 强大的雪崩能量吸收能力，增强了器件的可靠性。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定表现。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
NDF10N60ZG适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动器中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. LED驱动器和其他高效率电力电子设备。
5. 各种高压负载切换和保护电路。
6. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率元件。
NDF10N60,
IRFP460,
FQP19N60,
STP10NK60Z
