额定电流：12A
　　额定电压：1200V
　　正向压降：约1.55V（典型值）
　　反向漏电流：≤10μA（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　热阻：Rth(j-c) ≤1.2°C/W

PJSD12CW-AU碳化硅肖特基二极管的主要特性是其基于碳化硅材料的高效能表现。与传统的硅基二极管相比，该器件在导通状态下的正向压降低，从而减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该二极管具有非常快的恢复时间，这意味着它能够在高频开关应用中表现出色，而不会产生过多的开关损耗。
　　另一大优势是其在高温环境下的稳定性。由于碳化硅材料的热导率较高，PJSD12CW-AU能够在更高的工作温度下稳定运行，而不影响其电气性能。这种特性使得该器件非常适合用于高功率密度的设计，例如电动汽车充电器、光伏逆变器和工业电源等应用。
　　该二极管还具备优异的抗浪涌电流能力，能够在短时间承受较高的电流冲击，从而提高系统的可靠性和耐用性。其TO-220封装设计也便于散热，适用于需要高效散热管理的电路设计。

该器件广泛应用于各种高功率和高频率的电力电子系统。例如，在电动汽车（EV）充电设备中，PJSD12CW-AU可以用于整流电路，提高能量转换效率并减少热量产生。在太阳能逆变器中，该二极管可用于直流-交流转换环节，以提升系统的整体能效。此外，该器件还适用于不间断电源（UPS）、工业电源模块、电机驱动系统以及高频率开关电源等场景。
　　在需要高可靠性和高性能的工业应用中，PJSD12CW-AU的碳化硅特性使其成为硅基二极管的理想替代品。特别是在需要高温稳定性和高频率操作的环境中，这款器件能够提供更优的性能表现。

C3D12060A、SiC12060P、C2D12060A