时间：2025/4/30 14:27:45
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DMN29M9UFDF 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 MicroFET? 技术制造。该器件主要设计用于低电压、高效率的应用场景，具有极低的导通电阻和快速开关性能。其超小型封装和出色的电气特性使其非常适合空间受限且对功率效率要求较高的应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（典型值）：18mΩ
栅极电荷（典型值）：3nC
总电容（输入电容）：260pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DFN1006-3 （1mm x 0.6mm）
DMN29M9UFDF 的主要特点是具备极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。
其次，其快速开关性能和低栅极电荷使得该器件在高频应用中表现出色。
此外，由于采用了 DFN1006-3 超小尺寸封装，该器件能够节省电路板空间，非常适合便携式设备和其他空间受限的设计。
最后，其高达 175℃ 的工作结温范围确保了在极端环境下的可靠运行。
DMN29M9UFDF 广泛应用于消费电子、通信和工业领域中的各种电路。
典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、电池管理、电源管理和信号切换等。
此外，它也适用于需要高效能和紧凑设计的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
DMN29M9UFD, DMN29M9EFDF
