时间：2025/8/2 7:57:10
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ZXTN25100DZTA 是由 Diodes 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。ZXTN25100DZTA 采用 DFN2525-6 封装，具有小型化、轻量化和高功率密度的特点，适合现代电子设备对空间和性能的高要求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：DFN2525-6
ZXTN25100DZTA 具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on) 最大为5.5mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
其次，该MOSFET支持高达80A的连续漏极电流，在25°C环境温度下可满足高功率需求。此外，ZXTN25100DZTA 的热阻（Rth）较低，保证在高负载条件下仍能有效散热，维持稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的MOSFET驱动器，便于设计和集成。同时，其封装形式 DFN2525-6 具有良好的热管理和电气性能，有助于提高PCB布局的紧凑性。
ZXTN25100DZTA 还具备良好的短路和过热保护能力，增强了系统的可靠性和耐用性。其工作温度范围广泛，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于严苛的工业和汽车环境。
总之，ZXTN25100DZTA 凭借其高电流能力、低导通电阻、优异的热管理性能和可靠的封装设计，成为高功率电源应用的理想选择。
ZXTN25100DZTA 广泛应用于多种高功率和高效率电源管理系统中。
在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，提高转换效率并减少发热。由于其低Rds(on)和高电流能力，特别适合用于高功率密度的电源模块设计。
在DC-DC转换器中，ZXTN25100DZTA 可作为功率开关，实现高效的电压转换。它适用于升压（Boost）、降压（Buck）以及反相（Inverting）拓扑结构，满足不同电源设计需求。
在电机驱动和负载开关应用中，该器件可承受高瞬态电流，提供稳定的控制性能。此外，它还可用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，确保电池组的安全高效运行。
在汽车电子领域，ZXTN25100DZTA 可用于车载电源转换器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等，满足汽车应用对可靠性和耐久性的高要求。
除此之外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、UPS系统、LED照明驱动器以及服务器电源等高性能电源管理系统中。
IPB080N10N3, STP80NF10, FDP80N10
