时间：2025/8/15 3:45:02
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PJSD03TS T/R是一款由PanJit Semiconductor（全汉半导体）制造的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源管理和开关应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适合在各种电源转换和功率控制电路中使用。该器件采用T/R（卷带包装）形式供应，适用于自动化装配流程。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
PJSD03TS T/R具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。该器件的高耐压能力使其能够在高压环境下稳定运行，适用于电源管理和DC-DC转换器等应用。此外，其高功率耗散能力（200W）确保在高负载条件下仍能保持良好的散热效果。该MOSFET采用先进的封装技术，提供了优异的热管理和机械稳定性，同时适用于表面贴装工艺，提高了电路设计的灵活性和可靠性。
该MOSFET广泛应用于各类电力电子设备中，如电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具和电源适配器等。其高效率和低损耗特性使其成为高性能电源解决方案的理想选择。此外，由于其出色的热稳定性和高耐压能力，PJSD03TS T/R也适用于需要高可靠性的工业控制和汽车电子系统中的功率管理电路。
IRF1324S-7PPBF, STP100N3LLH6AG, FDP100N3L
