您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM 发布时间 时间:2025/4/28 9:04:47 查看 阅读:8

FQD18N20V2TM 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻和高切换速度的特点,适合于需要高效能和低损耗的电路设计。它通常被应用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载开关等场景。
  该型号属于现代 MOSFET 的一种,其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够有效散热并适应多种安装需求。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):0.14Ω
  栅极电荷:36nC
  总功耗:150W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

FQD18N20V2TM 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压,允许在高达 200V 的环境中运行,保证了系统的稳定性与安全性。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流下保持较低的功耗,从而提高整体效率。
  3. 快速开关性能,减少开关过程中的能量损失,非常适合高频操作环境。
  4. 热稳定性好,在极端温度范围内仍能保持可靠的性能表现。
  5. 小型化的 DPAK 封装使其易于集成到紧凑型设计中,同时具备良好的散热能力。

应用

这款 MOSFET 主要适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 AC-DC 转换器。
  2. 各类电机控制应用,例如无刷直流电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 通信基础设施中的高效能电源管理模块。
  5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关产品中的功率调节系统。

替代型号

FQP18N20, IRFZ44N, FDMF8818

FQD18N20V2TM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FQD18N20V2TM资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FQD18N20V2TM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1080pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FQD18N20V2TM-NDFQD18N20V2TMTR