时间：2025/4/28 9:04:47
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FQD18N20V2TM 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻和高切换速度的特点，适合于需要高效能和低损耗的电路设计。它通常被应用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载开关等场景。
该型号属于现代 MOSFET 的一种，其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够有效散热并适应多种安装需求。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.14Ω
栅极电荷：36nC
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FQD18N20V2TM 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，允许在高达 200V 的环境中运行，保证了系统的稳定性与安全性。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流下保持较低的功耗，从而提高整体效率。
3. 快速开关性能，减少开关过程中的能量损失，非常适合高频操作环境。
4. 热稳定性好，在极端温度范围内仍能保持可靠的性能表现。
5. 小型化的 DPAK 封装使其易于集成到紧凑型设计中，同时具备良好的散热能力。
这款 MOSFET 主要适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 转换器。
2. 各类电机控制应用，例如无刷直流电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 通信基础设施中的高效能电源管理模块。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关产品中的功率调节系统。
FQP18N20, IRFZ44N, FDMF8818
