时间：2025/8/14 3:49:34
阅读：15
PJQ5446-AU_R2_000A1 是一款由 Rohm（罗姆）公司设计和生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用紧凑的封装设计，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于各种电子设备，如便携式电子产品、工业控制系统和汽车电子系统。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4.6A
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs = -10V；35mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8
PJQ5446-AU_R2_000A1 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的效率。其 Rds(on) 在 Vgs = -10V 时仅为 26mΩ，在 Vgs = -4.5V 时也仅为 35mΩ，能够有效降低导通状态下的电压降和热量生成。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，额定功率可达 2W，适用于需要较高功率处理能力的场合。器件的封装为 SOP-8，这种封装形式不仅体积小巧，便于 PCB 布局，而且具备良好的散热性能，适用于高密度电子设计。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定运行，适用于宽温度范围的工作环境。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，使其能够与多种驱动电路兼容，提高设计灵活性。
PJQ5446-AU_R2_000A1 通常用于负载开关、电源管理、DC-DC 转换器、电池供电设备和汽车电子系统等应用。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业级和汽车级应用中的理想选择。
该器件广泛应用于各类电子系统中，例如便携式设备的电源管理模块、工业控制系统的负载开关、汽车电子中的电源分配系统以及 DC-DC 转换器中的同步整流元件。此外，由于其良好的热稳定性和低导通电阻，PJQ5446-AU_R2_000A1 也适用于需要高效能和高可靠性的通信设备、服务器电源和电机驱动电路。
Si4435DY-T1-GE3, BUK9K14-40E, FDMS86180, AO4407A
