时间：2025/8/6 2:04:28
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IXFN100N10 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电流、高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器以及工业电源系统等场景。IXFN100N10 采用 TO-263 封装（也称为 D2PAK），具备良好的热管理和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：100A
最大导通电阻（Rds(on)）：10mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：250nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
IXFN100N10 是一款高性能的功率 MOSFET，其核心特性之一是低导通电阻（Rds(on)）为 10mΩ，在 Vgs=10V 时可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在高电流应用中仍能保持较低的压降和温升。此外，IXFN100N10 具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达 100A，适用于需要大电流输出的工业和电源系统。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的热管理性能，有助于提高器件在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。其栅极电荷（Qg）为 250nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量适中，可在高频开关应用中实现较高的效率。同时，该器件支持在宽广的温度范围内工作（-55°C 至 175°C），适合在恶劣环境下运行。
IXFN100N10 的设计还考虑了抗雪崩击穿能力，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，从而提升整体系统的鲁棒性。该特性使其在电动工具、电机驱动和不间断电源（UPS）等应用中表现出色。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持绿色环保的制造和应用。
IXFN100N10 常用于各种高功率电子系统中，如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统、太阳能逆变器、电动车辆的功率模块以及工业电源设备。其高电流能力和低导通电阻使其成为需要高效能功率开关的理想选择。
IRF1405, STP100N10F7, FDP100N10
