时间：2025/8/14 5:24:41
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PJQ4848P-AU_R2_000A1 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高效率功率转换和开关应用，具备低导通电阻、高耐压以及高电流处理能力的特点。该型号采用 TSSOP（薄型小尺寸封装），适合用于空间受限的高密度电子设备中。PJQ4848P-AU_R2_000A1 通常应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统以及各种负载开关场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.8 A
最大漏-源电压（VDS）：30 V
最大栅-源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：10 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSSOP
PJQ4848P-AU_R2_000A1 具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率管理领域具有广泛的应用价值。
首先，该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低在导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率，减少热量产生，尤其适用于高频率开关应用。
其次，其最大漏极电流为 4.8A，漏-源电压耐受能力达到 30V，具备较强的电流和电压承受能力，能够在较为严苛的工况下稳定工作。
此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而进一步提升转换效率。
该器件采用 TSSOP 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合高密度 PCB 设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，可在高温和低温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
最后，该 MOSFET 具有较高的可靠性，符合 RoHS 标准，支持无铅工艺，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
PJQ4848P-AU_R2_000A1 主要用于需要高效能、高可靠性和高集成度的功率管理系统中。
在 DC-DC 转换器中，该器件作为主开关元件，用于升压或降压电路，实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于高频开关电源设计。
在电机驱动电路中，该 MOSFET 可作为 H 桥结构中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的运行方向和速度。
在电池管理系统中，PJQ4848P-AU_R2_000A1 可用于电池充放电控制电路，作为负载开关或保护开关，确保系统的安全运行。
此外，该器件还可广泛应用于 LED 驱动器、负载开关、电源管理 IC 的外围开关元件以及各种便携式电子设备的电源控制电路中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTD4858N
