类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTB114GLT1G 晶体管具有多项显著的电气特性和设计优势。首先，它的直流电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，这使得它能够适应不同级别的放大需求，尤其适合需要高增益的电路设计。其次，该晶体管的过渡频率（fT）高达 100MHz，意味着它能够在较高的频率下保持良好的性能，适用于射频（RF）和高速开关应用。
　　此外，LDTB114GLT1G 的最大集电极电流为 100mA，最大集电极-发射极电压为 100V，这使得它在中等功率应用中表现出色。其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还具有良好的热性能，适用于自动化贴片工艺。
　　该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有良好的温度稳定性和可靠性，适合在各种环境条件下使用。此外，其最大功耗为 300mW，确保了在连续工作状态下的稳定运行。

LDTB114GLT1G 主要用于以下类型的电子电路和系统中：首先，它常用于通用放大器电路中，尤其是在音频放大、信号放大和前置放大器设计中，得益于其高增益和良好的频率响应。其次，该晶体管也广泛应用于开关电路，例如数字电路中的晶体管开关、继电器驱动电路、LED 驱动电路等。
　　此外，LDTB114GLT1G 在射频（RF）和高频电路中也有一定的应用，如在低噪声放大器（LNA）和射频振荡器中。它还可用于传感器接口电路、电源管理电路以及各种嵌入式系统的控制电路中。
　　由于其小尺寸和 SOT-23 封装，LDTB114GLT1G 特别适合用于便携式电子设备、消费电子产品、工业控制设备以及通信模块等应用领域。

BC547, 2N3904, PN2222A