时间：2025/8/14 8:32:46
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PJQ4464AP_R2_00001是一款由Panasonic（松下）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种高效率功率转换系统。其封装形式为表面贴装型（SOP），适合自动化装配流程，同时具备良好的散热性能。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
PJQ4464AP_R2_00001是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的高耐压特性（60V VDS）使其适用于多种中高功率应用场合。此外，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，并增强了对过电压事件的容忍度。
该MOSFET采用了优化的热设计，确保在高负载条件下仍能维持稳定的运行温度，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。其表面贴装封装形式不仅便于自动化生产，还能有效减少PCB空间占用，适用于高密度电路设计。
此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗，提高系统的响应速度和效率。其优异的抗雪崩能力和过热保护性能也使其在恶劣工作环境下具备更高的稳定性和安全性。
该MOSFET广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。此外，它也常用于工业自动化设备、电动车控制器、UPS（不间断电源）以及服务器电源模块等高可靠性要求的场合。
SiR142DP-T1-GE, SQJ4464EP-T1_GE3
