时间：2025/8/14 9:28:21
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PJQ4463AP-AU_R2_000A1 是一款由 Diodes 公司生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能的功率管理应用，特别是在需要低导通电阻（Rds(on)）和高速开关性能的场景中表现出色。该 MOSFET 采用 TSSOP 封装，适用于空间受限的高密度电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSSOP
引脚数：10
功率耗散：1.5W
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 具有以下显著特性：
1. **低导通电阻（Rds(on)）**：24mΩ 的低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流负载的应用。
2. **双路 N 沟道配置**：在一个封装中集成两个独立的 N 沟道 MOSFET，减少了 PCB 空间占用，提高了设计灵活性。
3. **高电流承载能力**：每个通道可支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
4. **高速开关性能**：该器件的开关速度快，适合高频开关电路，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。
5. **宽工作温度范围**：支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用环境。
6. **高栅极电压耐受性**：±20V 的栅源电压耐受能力确保了器件在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
7. **热保护性能**：内置热保护功能，防止因过热导致的器件损坏。
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 适用于多种功率电子系统，包括：
1. **电源管理**：如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等，用于高效能电源转换和分配。
2. **电机控制**：用于小型电机驱动器、风扇控制和机器人系统中，提供高效的功率开关解决方案。
3. **工业自动化**：适用于工业控制设备、PLC（可编程逻辑控制器）和传感器模块中的电源开关和信号调节。
4. **消费电子产品**：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。
5. **汽车电子**：用于车载充电系统、车身控制模块和车载娱乐系统中的功率开关应用。
6. **通信设备**：适用于网络设备、基站和通信电源中的功率管理模块。
Si4463DY-T1-E3, FDS4463BZ, NDS4463A, DMN4463SSD
