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M1MA151KT1G 发布时间 时间:2025/6/6 8:38:35 查看 阅读:4

M1MA151KT1G 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND Flash 存储芯片,属于 128Gb(16GB)的 TLC 类型存储器。该芯片采用 1600nm 工艺制造,支持 ONFI(Open NAND Flash Interface)标准,广泛应用于嵌入式设备、工业控制、消费类电子产品等领域。
  此型号的 NAND Flash 提供高容量和高性能的数据存储解决方案,适合需要大容量数据存储的应用场景。

参数

容量:128Gb (16GB)
  类型:TLC NAND Flash
  接口:ONFI 兼容
  电压:Vcc = 3.3V ± 5%, Vccq = 1.8V ± 5%
  封装:BGA 169 球
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据保留时间:≥ 10 年
  擦写周期:典型值 1000 次

特性

M1MA151KT1G 使用 TLC(Triple-Level Cell)技术,能够在每个存储单元中存储 3 位数据,从而在有限的空间内实现更高的存储密度。
  该芯片支持 ONFI 标准接口,能够与主流主控芯片无缝兼容。其高速读写性能和低功耗设计使其非常适合便携式设备和长时间运行的系统。
  此外,它具备强大的 ECC(Error Correction Code)能力,确保数据在多次擦写后依然保持完整性。同时,芯片内部集成了磨损均衡算法,延长了存储器的使用寿命。

应用

M1MA151KT1G 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机等网络设备中的固件存储。
  2. 消费类电子:包括智能手机、平板电脑、数码相机等的多媒体文件存储。
  3. 工业控制:用于工业计算机、自动化设备中的程序和数据存储。
  4. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 的核心存储组件之一,提供大容量数据存储功能。

替代型号

MT29F128G08CUCD

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M1MA151KT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)100mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)3ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 35V
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59
  • 包装带卷 (TR)