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PJQ4448P_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:21:24 查看 阅读:18

PJQ4448P_R2_00001 是一种常见的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。它广泛应用于模拟电路和数字电路中的开关和放大作用。这款晶体管以高性能和可靠性著称,适用于多种电子设备和系统。

参数

类型:PNP型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):最大200mA
  基极电流(IB):最大20mA
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23
  增益带宽积(fT):100MHz

特性

PJQ4448P_R2_00001 是一款高性能的PNP型晶体管,专为高频和低噪声应用设计。其主要特性之一是能够在高频条件下保持稳定的性能,这得益于其100MHz的增益带宽积。这种晶体管在放大电路中表现出色,尤其适合用于音频放大器和射频(RF)信号处理。此外,其低噪声特性使其成为前置放大器和信号处理电路的理想选择。
  该晶体管的封装形式为SOT-23,这是一种小型化表面贴装封装,能够有效节省电路板空间,并支持高密度的PCB布局。SOT-23封装还具有良好的热管理和电气性能,确保晶体管在长时间运行中保持稳定。
  PJQ4448P_R2_00001 的最大集电极电流为200mA,能够满足大多数中低功率应用的需求。它的集电极-发射极电压(VCEO)为30V,基极电流最大为20mA,使其在多种电路设计中具备良好的适应性。同时,该器件的功耗为300mW,可以在不牺牲性能的情况下保持较低的功耗水平,适用于电池供电设备和便携式电子产品。
  这款晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在极端温度条件下保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。

应用

PJQ4448P_R2_00001 主要用于需要高性能和高可靠性的电路设计中。其高频特性和低噪声表现使其在射频(RF)放大器、音频放大器和前置放大器中广泛应用。此外,该晶体管常用于模拟和数字开关电路,以及作为逻辑电路中的驱动元件。
  在通信设备中,PJQ4448P_R2_00001 可用于信号放大和调制解调电路,确保信号的清晰传输和接收。在音频设备中,该晶体管可用于前置放大器和功率放大器,提供高质量的音频输出。同时,由于其低功耗特性,PJQ4448P_R2_00001 也广泛应用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  在工业自动化和控制系统中,该晶体管可用于传感器信号放大、逻辑控制和电机驱动等应用。其宽广的工作温度范围使其适合在高温或低温环境中使用,例如在工业炉、制冷设备或户外监控系统中。

替代型号

2N3906, BC327, PN2907

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PJQ4448P_R2_00001参数

  • 现有数量3,765现货
  • 价格1 : ¥4.05000剪切带(CT)5,000 : ¥1.35078卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta),42A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1040 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),35W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN