时间：2025/8/14 11:35:31
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PJQ1902是一款由Panjit公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能开关特性的应用。这款器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，使其成为电源管理和功率转换应用中的理想选择。PJQ1902采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，便于散热和节省空间的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：190A（最大）
漏源极电压（VDS）：200V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：13.5mΩ（最大）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
PJQ1902具有非常低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件的高电流能力使其能够处理大负载电流，适用于需要高功率密度的设计。此外，其快速开关特性降低了开关损耗，从而提高了高频应用的性能。
该MOSFET的TO-252封装提供了良好的热性能，便于将热量从芯片传导到PCB上，适用于需要高效散热的应用。该器件的可靠性和耐用性使其能够在苛刻的环境条件下稳定工作。此外，PJQ1902还具备良好的短路和过热保护能力，适用于各种工业和汽车应用。
其栅极驱动要求较低，适合与标准逻辑电路配合使用，简化了驱动电路的设计。由于其低阈值电压特性，该器件可以在较低的控制电压下实现完全导通，适用于电池供电系统和低电压应用。
PJQ1902广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电池充电器、逆变器以及汽车电子系统等领域。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高功率密度设计，如服务器电源、电信设备电源和工业自动化系统。此外，该器件也常用于高频率开关应用，如PWM控制器和高频功率转换器。
IRF1405, SiR190DP, FDBL9025
