类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　脉冲漏极电流（IDM）：44A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.95Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

PJP9NA90 MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其最大漏源电压为900V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用场合。栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，确保器件在复杂环境中稳定工作。
　　该器件具备高达11A的连续漏极电流能力，可在高负载条件下稳定运行。同时，其脉冲漏极电流可达44A，适用于需要瞬时大电流的应用场景，如电机启动或电容充电过程。PJP9NA90的导通电阻最大为0.95Ω，有效降低了功率损耗，提升了系统能效。
　　在热性能方面，PJP9NA90采用TO-220封装形式，具有良好的散热能力，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣的工作环境。该器件还具备优异的雪崩能量承受能力，增强了其在高频开关和感性负载应用中的可靠性。
　　此外，PJP9NA90具有较高的短路耐受能力，有助于防止在异常工况下器件损坏。它的快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频率开关电路，如PWM控制器和DC-DC转换器。综合来看，PJP9NA90是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种高压、高电流的电源管理和功率控制应用。

PJP9NA90 MOSFET广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要高压和高电流处理能力的场合。它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中，作为主开关器件，提供高效的能量转换。在电机控制领域，PJP9NA90可用于H桥驱动和速度控制，支持无刷直流电机（BLDC）和步进电机的高效运行。
　　此外，该器件适用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，确保电池组的安全高效运行。在工业自动化设备中，PJP9NA90可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块、继电器替代方案和负载开关控制。
　　由于其高电压耐受能力和良好的热稳定性，PJP9NA90也常用于LED照明驱动电路、智能电表、不间断电源（UPS）以及家用电器（如洗衣机、空调和微波炉）的功率控制模块中。其快速开关特性使其适用于高频逆变器和电焊机等专业设备的功率级设计。

STW9NK90Z, STW9NA90, 2SK2141, 2SK2545