型号：SBR30M100CTFP
　　器件类型：肖特基势垒二极管（双共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.94V @ 15A, Tc=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 100V, Tc=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻结至外壳（RθJC）：1.0°C/W
　　封装形式：D2PAK（TO-263AB）
　　引脚数：3
　　安装类型：表面贴装（SMD）

SBR30M100CTFP的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值在15A电流下仅为0.94V，这显著降低了导通过程中的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。低VF特性对于高电流应用场景尤为重要，因为它直接决定了器件的发热水平和散热设计复杂度。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而消除了少数载流子的存储效应，实现了近乎零的反向恢复时间（trr），有效避免了开关过程中的反向恢复电流尖峰和电磁干扰问题。这种快速开关特性使其非常适合高频开关电源应用，如同步整流、DC-DC变换器等，能够在MHz级开关频率下保持高效稳定运行。
　　该器件采用双共阴极结构，内部集成两个独立但共用阴极的肖特基二极管，这种设计特别适用于中心抽头变压器的全波整流电路，例如在低压大电流输出的开关电源中。相比使用两个分立二极管，集成化设计不仅节省了PCB空间，还减少了布局对称性误差和寄生电感，提高了电路的一致性和可靠性。此外，D2PAK封装具备较大的焊盘面积，有利于通过PCB铜箔进行高效散热，热阻结至外壳（RθJC）仅为1.0°C/W，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，延长器件寿命。
　　SBR30M100CTFP具有宽泛的工作温度范围，结温可从-65°C到+175°C，适应严苛的工业和汽车环境。其反向漏电流在高温下相对可控，在100V反向电压和25°C下最大为1.0mA，但在高温环境下会有所上升，设计时需注意热失控风险。该器件不含铅（Pb-free）并符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造。制造工艺上采用可靠性验证严格的流程，具备良好的抗湿性、抗机械应力和长期稳定性，适用于自动化贴片生产线，支持回流焊工艺。总之，SBR30M100CTFP凭借其低损耗、高电流、快恢复和优良热性能，成为现代高效电源系统中的关键元件。

SBR30M100CTFP广泛应用于各类需要高效率、大电流整流的电力电子系统中。其最主要的应用领域是开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为输出整流二极管使用。在这些应用中，输入电压通常为12V或24V，输出则为3.3V、5V或更低电压，需要大电流输出，因此采用中心抽头变压器配合双共阴极肖特基二极管进行全波整流是一种常见且高效的拓扑结构，SBR30M100CTFP正是为此类设计优化的器件。此外，它也常用于DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管或整流元件，尤其是在非隔离型拓扑如Buck、Boost和SEPIC中，其快速恢复特性有助于减少开关损耗并提高转换效率。
　　在新能源领域，该器件可用于太阳能逆变器、风力发电系统的辅助电源以及电动汽车车载充电机（OBC）中的低压直流母线整流环节。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，适合在长时间高负载条件下运行。在工业控制设备中，如PLC、电机驱动器和UPS不间断电源中，SBR30M100CTFP可用于电源整流和保护电路，提供可靠的能量转换路径。此外，它也可用于电池充电管理系统（BMS）、LED驱动电源和高功率适配器中，作为防止反向电流的关键元件。
　　由于其表面贴装封装形式，SBR30M100CTFP适用于自动化大规模生产，尤其适合波峰焊或回流焊工艺，能够实现高密度PCB布局。在高温或高湿环境中，建议加强PCB散热设计，如增加散热焊盘、使用导热过孔或外接散热片，以确保器件工作在安全温度范围内。总体而言，SBR30M100CTFP凭借其优异的电气性能和可靠的封装设计，已成为中等电压、大电流整流应用中的理想选择。

SB30M100CTFP