PJP8NA50 时间：2025/8/15 16:21:15 阅读：13

PJP8NA50 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件具有较高的耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.95Ω（在 Vgs=10V 时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V 至 4.0V

特性

PJP8NA50 具有出色的开关性能和低导通电阻，使其在高功率应用中表现出色。其高耐压特性（500V Vds）允许其在高电压环境下稳定工作。该器件的封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业标准电路板设计。此外，其栅极驱动电压范围宽（±30V），允许使用多种驱动电路进行控制。PJP8NA50 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下维持稳定运行。
　　此 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。同时，其快速的开关速度减少了开关损耗，适用于高频开关应用。该器件的封装设计也有助于提高散热性能，延长使用寿命。

应用

PJP8NA50 主要用于需要高电压和中等电流处理能力的功率电子设备中。常见应用包括电源供应器、AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动电路、UPS（不间断电源）、照明系统（如 HID 灯驱动）以及工业自动化控制系统。由于其良好的开关性能和可靠性，PJP8NA50 也广泛应用于汽车电子系统和消费类电子产品中的功率管理模块。