时间：2025/8/2 4:35:58
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PJM2307PSA是一款由PowerJenes公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用而设计，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备中。PJM2307PSA采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻、优异的热性能和高可靠性。该器件封装为DFN5x6或类似的小型化表面贴装封装，适用于紧凑型电源系统设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：120A（在TC=25℃时）
脉冲漏极电流(IDM)：480A（最大）
导通电阻(RDS(on))：0.9mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：85nC（典型值）
输入电容(Ciss)：2600pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：DFN5x6（5.0mm x 6.0mm）
安装方式：表面贴装
热阻(RθJA)：约25℃/W（典型值）
PJM2307PSA采用了先进的沟槽型功率MOSFET结构，具有极低的RDS(on)，在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。其低导通电阻和高电流容量使其非常适合用于高功率密度的电源系统中，如服务器电源、电信电源、电机驱动器和同步整流电路。
该器件具有出色的热管理性能，DFN5x6封装具备优良的散热能力，可在高工作温度下维持稳定运行。此外，PJM2307PSA的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平（支持4.5V至20V驱动电压），使其能够与多种控制器和驱动IC配合使用。
在动态性能方面，PJM2307PSA具有较低的输入电容和栅极电荷，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频PWM控制电路。其高dv/dt耐受能力可有效防止在高速开关过程中发生误触发或损坏。
该MOSFET还具备良好的短路和过载保护能力，可在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性，适用于工业自动化、通信设备、新能源系统等对稳定性和耐久性要求较高的应用场景。
PJM2307PSA主要应用于高效率电源转换系统，如DC-DC降压/升压转换器、多相电源、负载开关、热插拔电源控制、电池管理系统（BMS）、电动工具、储能系统、工业自动化设备和通信电源模块等。其高电流承载能力和低导通损耗特性，使其在大功率同步整流、电机驱动和高密度电源模块中表现出色。
SiR142DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5B, IPB013N04NG, IRF6717TRPBF
