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PJL9811_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 7:49:03 查看 阅读:14

PJL9811_R2_00001是一款由PanJit(强茂)公司生产的功率半导体器件,通常用于高电流、高电压应用的电源管理与转换领域。该器件属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,具有高效的开关性能和较低的导通电阻,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电机控制等应用场景。由于其高性能和可靠性,该型号广泛应用于工业设备、汽车电子、通信设备和消费电子产品中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):110A
  最大漏-源电压(VDS):100V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约7.5mΩ(典型值)
  封装类型:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  功率耗散(PD):130W
  晶体管配置:单晶体管

特性

PJL9811_R2_00001具备多项优越的电气和热性能。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了在高电流应用中的功率损耗,提高了整体系统的效率。此外,该器件的高漏极电流能力(110A)和100V的漏-源电压额定值,使其能够胜任高功率密度的设计需求。
  其次,该MOSFET采用先进的沟槽式技术制造,提供了出色的开关性能,包括快速的开关速度和较低的开关损耗。这在高频开关应用中尤为重要,有助于减小电源模块的体积并提升效率。
  再者,该器件的封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的热管理和机械稳定性,便于在PCB上安装和散热设计。TO-252封装也支持自动化生产流程,适用于SMT(表面贴装技术)工艺,提升了生产效率。
  最后,PJL9811_R2_00001还具备优异的耐用性和稳定性,能够在恶劣的环境条件下(如高温或高湿度)可靠运行,满足工业和汽车电子对元器件高可靠性的要求。

应用

该MOSFET主要应用于高功率电源系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电机驱动器等。在电动汽车和新能源系统中,它可用于逆变器和充电模块的功率控制部分。此外,该器件也适用于需要高效能功率开关的工业自动化设备、服务器电源和通信基础设施设备中。由于其高效率和高可靠性,PJL9811_R2_00001在现代电子设计中具有广泛的应用前景。

替代型号

IRF1405, Si9410BDY, FDP110N10, IPW90R120

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PJL9811_R2_00001参数

  • 现有数量2,450现货
  • 价格1 : ¥5.09000剪切带(CT)2,500 : ¥1.98258卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.8A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)21 毫欧 @ 7.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1169pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP