类型：PNP型晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大基极-发射极电压（VEBO）：5V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级划分）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　频率响应（fT）：100MHz（典型值）

KST8550C晶体管具有多项优异的电气特性，使其在电子电路设计中表现出色。首先，它的电流放大系数（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分可以达到110到800之间，这使得该晶体管在不同的应用需求下都能提供良好的放大性能。
　　其次，KST8550C的工作频率较高，典型频率响应（fT）为100MHz，因此在中高频放大电路中表现良好，适用于需要较高频率响应的电路设计。
　　此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够在中低功率条件下稳定工作。其最大功耗为300mW，适用于常见的电子设备和电路模块。
　　封装方面，KST8550C采用标准的TO-92封装，尺寸小巧，便于安装和焊接。其三个引脚分别为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），符合通用的引脚排列标准，便于与其他电路元件配合使用。
　　最后，KST8550C晶体管的工作温度范围较宽，可在-55°C至150°C之间正常工作，适用于各种环境条件下的电子设备。

KST8550C晶体管在电子工程中具有广泛的应用场景。首先，它常用于放大电路，如音频放大器、信号放大器等，能够有效放大输入信号并保持信号的完整性。其次，KST8550C也常用于开关电路，作为电子开关控制电流的通断，适用于LED驱动、继电器控制等应用场景。此外，该晶体管还可以用于振荡电路、稳压电路以及各种模拟电子电路的设计中。由于其良好的频率响应特性，KST8550C也适用于射频（RF）放大电路和高频信号处理电路。在工业控制、消费电子和通信设备等领域，KST8550C都具有较高的实用价值。

BC850C, 2N3906, KST5401, PN2907