时间：2025/5/30 16:10:29
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STP8N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效功率管理的场景中。其高击穿电压和低导通电阻特性使得它在高压电路中表现出色，同时具备良好的开关性能。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.4Ω（典型值，@VGS=10V）
栅极电荷：39nC（典型值）
输入电容：1160pF（典型值）
总功耗：10W
工作结温范围：-55℃至+150℃
STP8N80K5是一款高压MOSFET，具有以下特点：
1. 高耐压能力，最高可达800V，适合用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻，在Vgs为10V时仅为1.4Ω，能够减少导通损耗。
3. 快速开关性能，较低的栅极电荷和输出电容使器件在高频应用中表现优异。
4. 稳定的工作温度范围，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
6. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装和维护。
STP8N80K5广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动及控制电路中的开关元件。
4. 各类工业设备中的高压开关。
5. 能量存储系统的充放电管理模块。
6. 其他需要高压、高效率功率管理的应用场景。
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