类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：90V
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.95Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：30W
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

PJF4NA90具有多项高性能特性，适用于多种功率管理应用。
　　首先，该器件采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其典型的RDS(on)为0.95Ω，在10V的栅极驱动电压下能够提供良好的导通性能。
　　其次，PJF4NA90的最大漏源电压为90V，使其适用于中高电压应用，例如开关电源、充电器、电机驱动器等。此外，其最大漏极电流为4A，允许在较宽的负载范围内稳定运行。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.5V至2.5V，属于低阈值电压器件，适用于低电压控制电路，如由微控制器直接驱动的场合。
　　PJF4NA90采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热管理能力，适用于表面贴装技术（SMT），便于在现代PCB设计中使用，并支持较高的功率密度设计。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性，适用于工业级和汽车电子等苛刻环境下的应用。

PJF4NA90广泛应用于多种高功率和中高电压的电子系统中。
　　在电源管理系统中，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关控制，提供高效率和低损耗的功率转换。由于其较低的RDS(on)，在高频率开关应用中表现出色，有助于减小电源模块的体积并提升整体效率。
　　在电机控制方面，PJF4NA90可用于小型电机的H桥驱动电路或PWM控制，适用于无人机、机器人和电动工具等设备。其较高的耐压能力和稳定的电流承载能力使其在电机驱动应用中具有良好的可靠性。
　　此外，该MOSFET也适用于电池供电设备中的功率管理，如便携式充电器、智能电池管理系统等。其低栅极阈值电压特性使其易于与低电压控制器配合使用，提高系统的集成度和能效。
　　在汽车电子领域，PJF4NA90可用于车身控制模块、车载充电系统和LED照明驱动电路。其宽工作温度范围和稳定的电气性能使其能够适应复杂的车载环境。

Si4440BDY, IRFZ44N, FDPF4N90