IXBT32N300 时间：2025/8/5 19:48:49 阅读：24

IXBT32N300 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 MOSFET 晶体管，属于功率半导体器件，常用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用 TO-264 封装，具有良好的热性能和高耐压能力，适用于电源转换、电机驱动、工业自动化等场景。该器件的设计确保了在高温环境下依然能够保持稳定的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：3000V
　　漏极电流（Id）：32A（连续）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.16Ω（最大）
　　封装类型：TO-264
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　栅极电荷（Qg）：110nC（典型值）

特性

IXBT32N300 是一款高性能的功率 MOSFET，具备出色的耐压能力和电流承载能力。其最大漏源电压可达 3000V，能够在高压环境下稳定工作，适用于如高压电源、电机驱动和工业控制系统等应用。该器件的导通电阻较低，最大值为 0.16Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。此外，其连续漏极电流为 32A，可支持高功率负载的运行。
　　该 MOSFET 使用 TO-264 封装，具有良好的散热性能，有助于在高功率操作下保持器件温度在安全范围内。其栅极电压范围为 ±20V，具备一定的过压保护能力，防止栅极损坏。栅极电荷较低，为 110nC，有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而进一步提升系统的能效。
　　此外，IXBT32N300 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于多种恶劣环境条件。其高热稳定性和可靠性使其成为工业和电源管理应用中的理想选择。该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。