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PJF3NA50 发布时间 时间:2025/8/14 22:27:23 查看 阅读:17

PJF3NA50是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高功率应用场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的系统中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):3A
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  最大功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

PJF3NA50具有多项优异的电气和机械特性,确保其在复杂和严苛的环境中稳定运行。首先,其高耐压能力(最大Vds为500V)使其适用于多种高压应用,如开关电源(SMPS)、照明系统和工业控制设备。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为1.2Ω,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V,适配多种控制电路,确保在不同驱动条件下均可可靠工作。
  在热性能方面,PJF3NA50的封装设计(TO-220)提供了良好的散热能力,最大功率耗散为50W,能够承受较高的工作电流。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)保证了在高温或低温环境下仍能正常运行,提高了器件的环境适应性。此外,该MOSFET具有良好的短路耐受能力,增强了系统的稳定性和可靠性。
  从制造工艺来看,PJF3NA50采用先进的硅技术,优化了开关特性和抗静电能力,降低了因瞬态电压引起的失效风险。其封装也符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的电子设备。

应用

PJF3NA50广泛应用于多种高电压和中功率的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)中的主开关器件、DC-DC转换器中的高频开关、LED照明驱动电路、电机控制模块以及工业自动化设备中的电源管理单元。此外,该MOSFET还可用于电池管理系统、不间断电源(UPS)和家用电器中的功率控制部分。由于其具备良好的耐压能力和热稳定性,PJF3NA50在需要高可靠性和长寿命的工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。

替代型号

2SK2225, IRF840, 2N6796

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