型号：MB14P-90(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A（@TC=75°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：53mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：230pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：30pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：S-Mini3 (DFN1212)

MB14P-90(LF)(SN)具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在VGS = -4.5V时，RDS(on)典型值仅为53mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下也能保持60mΩ的低阻状态，这使得它在电池供电或低压逻辑控制应用中能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。这对于移动设备中的负载开关、电源路径管理和同步整流等功能尤为重要。
　　其次，该器件采用了ROHM专有的沟槽结构工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流承载能力，同时有效抑制了寄生参数的影响。这种结构设计不仅增强了器件的开关速度，还降低了开关过程中的能量损耗，从而减少发热并提升系统稳定性。此外，输入电容Ciss仅为230pF，表明其栅极驱动需求较小，适合与低驱动能力的控制器（如微控制器GPIO口）直接连接，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度。
　　再者，MB14P-90(LF)(SN)的小型DFN1212封装不仅节省PCB空间，而且具有优良的散热性能。底部带有裸露焊盘的设计有助于将热量快速传导至PCB地层，实现有效的热管理。即使在较高负载条件下，也能维持较低的温升，确保长期运行的可靠性。同时，该封装支持回流焊工艺，兼容自动化贴片生产线，适合大规模制造。
　　最后，该器件具有良好的抗静电能力（ESD）和稳健的栅氧层设计，能够在复杂电磁环境中稳定工作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业、消费类及部分汽车电子应用。综合来看，MB14P-90(LF)(SN)凭借低RDS(on)、高速开关、小型化封装和高可靠性等特性，成为现代高效能、小型化电源系统中的优选器件。

MB14P-90(LF)(SN)主要应用于需要高效、小型化和低功耗特性的电源管理系统中。一个典型应用场景是作为负载开关，用于控制电源到特定模块（如传感器、无线通信芯片或显示屏）的通断，以实现节能待机或热插拔功能。在这种应用中，其低导通电阻可最小化压降和功率损耗，延长电池寿命。此外，它也可用于电池供电设备中的反向电流保护电路，防止电池反接或充电回路中的倒灌电流。
　　在DC-DC转换器拓扑中，特别是同步降压（Buck）或升压（Boost）电路中，MB14P-90常被用作同步整流开关。虽然N沟道MOSFET在同步整流中更为常见，但在某些低端或空间受限的设计中，P沟道器件因其驱动简单（高端侧无需自举电路）而被优先选用。MB14P-90的快速开关特性和低栅极电荷使其能够适应较高的开关频率，从而减小外围电感和电容的尺寸，进一步缩小整体解决方案体积。
　　此外，该器件适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和TWS耳机等，这些设备对元器件的尺寸和功耗极为敏感。其DFN1212封装非常适合高密度SMT组装，且不会因机械应力导致焊点开裂。在电源多路复用（Power MUX）电路中，MB14P-90可用于选择主电源与备用电源之间的切换，例如USB供电与电池供电之间的自动切换。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于低电压逻辑电平转换、继电器驱动或LED驱动电路中的开关元件。其稳定的阈值电压和宽温工作能力确保了在恶劣环境下的可靠运行。总之，MB14P-90(LF)(SN)凭借其高性能与紧凑设计，广泛服务于消费电子、工业自动化、物联网终端及便携式医疗设备等多个领域。

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　　 "DMG2302UK-7",
　　 "AO3415",
　　 "Si2301DS",
　　 "FDD94AP",
　　 "BSS84"
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