工作电压：6.8V
　　钳位电压：13.3V（最大值，Ipp=1A）
　　反向关态电压：6.8V
　　ESD 保护能力：±30kV（接触放电）
　　峰值脉冲电流 Ipp：1A
　　响应时间：小于 1ns
　　结电容：0.3pF（典型值）
　　封装形式：SOT-23-5
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

PJESD6V8LC-4-AU 的核心特性包括其四通道 ESD 保护结构，每个通道均可独立为高速信号线提供双向保护，从而在受到静电放电或瞬态电压干扰时迅速钳位电压，防止损坏后端 IC。该器件采用低电容设计（典型值为 0.3pF），适用于高达数 Gbps 的数据传输速率，不会影响信号完整性。此外，其低钳位电压（最大 13.3V @ 1A）可有效降低对受保护电路的压力，提高整体可靠性。
　　该器件具有快速响应时间（小于 1ns），能够在 ESD 事件发生时迅速启动保护机制，确保数据线和接口电路的安全。其静电放电防护能力高达 ±30kV（接触放电），远超 IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV 接触放电）标准，适用于严苛的工业和消费类应用环境。同时，PJESD6V8LC-4-AU 采用紧凑的 SOT-23-5 封装，节省 PCB 空间，便于集成到高密度设计中。
　　器件的热稳定性和重复脉冲承受能力也表现优异，能够在高频率的 ESD 事件中保持稳定的性能。适用于汽车电子、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络设备等对空间和性能要求较高的产品中。

PJESD6V8LC-4-AU 主要应用于需要 ESD 保护的高速信号接口，如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网（10/100/1000Mbps）、SD 卡接口、VGA、DVI、相机接口、耳机插孔等。此外，它也适用于工业控制设备、医疗仪器、通信模块、路由器、交换机、智能穿戴设备和汽车信息娱乐系统等对信号完整性与可靠性要求较高的场景。由于其低电容特性，特别适合用于高频或高速数据传输线路的保护，避免信号衰减和失真。

NXP Semiconductors PESD5V0S1BA; ON Semiconductor NUP2105L; STMicroelectronics ESDALC6V1-1BF2; Infineon ESD5104B