时间：2025/9/14 9:07:50
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BUK7620-100A,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高电流和高效率应用设计，适用于各种工业、汽车和电源管理系统。该MOSFET采用先进的技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高功率密度和良好的热性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。BUK7620-100A,118的封装设计便于安装和散热管理，适合用于开关电源（SMPS）、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效功率转换的应用。
类型：功率MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
连续漏极电流（ID）：75 A（@25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5.5 mΩ（最大值，@10 V VGS）
栅极电荷（Qg）：170 nC（典型值）
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅源电压（VGS）：±20 V
功率耗散（PD）：300 W
BUK7620-100A,118的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗并提高整体系统效率。此外，该MOSFET的高电流承载能力使其非常适合用于高功率密度设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高动态性能，这对于高频开关应用尤为重要。
该器件的热性能设计非常出色，结合其TO-220AB封装，可以有效地将热量传导到散热片或其他散热结构上，确保在高负载条件下也能保持稳定的工作温度。这种良好的热管理能力使得BUK7620-100A,118能够在极端环境下可靠运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
另外，BUK7620-100A,118具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，防止器件因过压而损坏。这一特性对于需要承受瞬态冲击的应用（如电机控制和电池管理系统）至关重要。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），允许在不同驱动条件下灵活使用，并且能够适应多种控制电路设计。
BUK7620-100A,118广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它被用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块等，以实现高效的功率转换和能量管理。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET在电源管理系统中表现出色，特别是在需要高效率和小尺寸设计的应用中。
在工业自动化和电机控制方面，BUK7620-100A,118可用于直流电机驱动器、伺服控制系统和变频器等设备，提供可靠的功率开关性能。其良好的热性能和高耐久性使其能够适应恶劣的工业环境，确保系统的长期稳定运行。
此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS），如电动工具、电动汽车和储能系统中的电池充放电控制电路。其高抗雪崩能力和快速开关特性有助于提高系统的安全性和效率。在汽车电子领域，BUK7620-100A,118也可用于车载电源转换器、LED照明系统以及车载娱乐系统中的功率管理模块。
IRF1405, STP75NF75, FDP75N10, IPW90R120C3
