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PJE8428_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 13:48:25 查看 阅读:22

PJE8428_R1_00001是一款由PanJit(强茂)公司生产的电子元器件,通常用于功率管理或电源转换应用中。它是一种高效、可靠的功率MOSFET,适用于多种电子设备和系统。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有优异的导通和开关性能,能够满足高功率密度和高效率的设计需求。

参数

类型:功率MOSFET
  材料:硅
  封装类型:表面贴装(SMD)
  最大漏极电流(ID):具体数值需参考数据手册
  最大漏源电压(VDS):具体数值需参考数据手册
  导通电阻(RDS(on)):具体数值需参考数据手册
  工作温度范围:-55°C至150°C
  引脚数:具体数值需参考数据手册
  功率耗散(PD):具体数值需参考数据手册
  栅极电荷(QG):具体数值需参考数据手册

特性

PJE8428_R1_00001具有多个显著特性。首先,它拥有低导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,MOSFET的电压降非常小,从而降低了功率损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有较高的开关速度,适用于高频开关应用,减少了开关损耗,提高了整体性能。
  其次,PJE8428_R1_00001采用了先进的封装技术,具备良好的热管理能力。其表面贴装封装形式(SMD)不仅节省了PCB空间,还提高了散热效率,使器件能够在较高功率条件下稳定运行。此外,该MOSFET具有较强的电流承载能力和耐压能力,适用于各种电源管理和功率转换电路。
  在可靠性方面,PJE8428_R1_00001通过了严格的测试和认证,确保其在各种环境条件下都能稳定工作。其宽工作温度范围使其适用于工业级和汽车级应用,能够在极端温度环境下保持良好的性能。此外,该器件的抗静电能力(ESD)和抗电磁干扰(EMI)性能也较为出色,有助于提升系统的整体稳定性。

应用

PJE8428_R1_00001广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它可以用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路以及负载开关等。在电机控制领域,该MOSFET可用于H桥驱动、电机驱动器和伺服控制系统。
  此外,PJE8428_R1_00001也适用于工业自动化设备、LED照明驱动电路、电池管理系统(BMS)以及新能源设备,如太阳能逆变器和储能系统。在消费电子领域,该器件可以用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机的电源管理模块,以及各种便携式电子设备的充电电路。
  由于其优异的性能和可靠性,PJE8428_R1_00001还可用于汽车电子系统,例如车载充电器、车灯控制模块、电动助力转向系统(EPS)等,满足汽车行业的严格要求。

替代型号

SiR862DP-T1-GE3
  FDMS86263
  NVTFS5C471NLWTAG

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PJE8428_R1_00001参数

  • 现有数量1,543现货
  • 价格1 : ¥3.74000剪切带(CT)4,000 : ¥0.69117卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 300mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.9 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)45 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-523
  • 封装/外壳SOT-523