IXDN514SIAT/R 时间：2025/8/6 9:57:21 阅读：21

IXDN514SIAT/R 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Integrated Circuits Division）制造的高速、双通道、MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路。该器件专为驱动功率MOSFET和IGBT设计，适用于各种功率电子应用，如电机控制、DC-DC转换器、逆变器和工业自动化设备。IXDN514SIAT/R 采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，能够提供高边和低边驱动能力，具备出色的抗噪能力和可靠性。该芯片采用紧凑的SOIC-16封装，适合高密度PCB布局。

参数

工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：4.0A（拉电流和灌电流）
　　传播延迟时间：15ns（典型值）
　　上升时间：7ns（典型值）
　　下降时间：6ns（典型值）
　　高边浮动电压：最高可达 600V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16

特性

IXDN514SIAT/R 是一款高性能的双通道栅极驱动器，其主要特性包括高输出驱动能力、快速响应时间和优异的抗干扰能力。该芯片采用HVIC技术，能够在高边浮动电压高达600V的情况下正常工作，非常适合用于高压和高温环境中的功率转换系统。
　　该驱动器的输出驱动能力为±4A，能够快速充放电MOSFET或IGBT的栅极电容，从而实现快速开关，降低开关损耗。其传播延迟时间仅为15ns，上升和下降时间分别为7ns和6ns，确保了高频开关操作的稳定性。
　　此外，IXDN514SIAT/R 集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，会自动关闭输出，防止因电压不足导致的器件损坏或误操作。该芯片还具有高抗噪能力，能够在恶劣的工业环境中保持稳定的信号传输性能。
　　由于其高边/低边驱动能力，IXDN514SIAT/R 常用于半桥或全桥拓扑结构中，适用于电机控制、电源转换、太阳能逆变器、感应加热等高功率应用。

应用

IXDN514SIAT/R 广泛应用于需要高效、高速驱动功率MOSFET或IGBT的电力电子系统。典型应用包括工业电机驱动器、DC-AC逆变器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、感应加热设备以及电动汽车充电系统等。该芯片的高边浮动电压能力使其特别适合用于高电压和高频率的开关环境，例如在太阳能逆变器中用于驱动高压桥式结构的MOSFET或IGBT。