时间：2025/6/28 12:53:00
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PJE5UQFN10A 是一款基于 UQFN 封装的高效能功率 MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效率和低功耗的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效降低能量损耗并提升系统性能。
该芯片具有良好的热稳定性和抗电磁干扰能力，适用于工业级和消费级电子设备。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：10A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：15nC
开关时间：典型值 15ns
封装形式：UQFN
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 超低导通电阻设计，显著减少导通损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，满足大功率需求。
4. 紧凑型 UQFN 封装，节省 PCB 空间。
5. 提供出色的热性能，增强系统可靠性。
6. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 消费类电子产品中的电源管理模块
6. 充电器及适配器解决方案
PJE5LGA10A, IRF540N, FDP5570N
